Índice:
- Definição - O que significa Resistive Random Access Memory (ReRAM)?
- Techopedia explica Memória de acesso aleatório resistivo (ReRAM)
Definição - O que significa Resistive Random Access Memory (ReRAM)?
A memória de acesso aleatório resistivo (RRAM / ReRAM) é um novo tipo de memória projetada para não ser volátil. Está sendo desenvolvido por várias empresas e algumas já patentearam suas próprias versões da tecnologia. A memória opera alterando a resistência do material dielétrico especial chamado memresistor (resistor de memória) cuja resistência varia dependendo da tensão aplicada.
Techopedia explica Memória de acesso aleatório resistivo (ReRAM)
A RRAM é o resultado de um novo tipo de material dielétrico que não é permanentemente danificado e falha quando ocorre a ruptura dielétrica; para um memresistor, a quebra dielétrica é temporária e reversível. Quando a tensão é aplicada deliberadamente a um memresistor, caminhos condutivos microscópicos chamados filamentos são criados no material. Os filamentos são causados por fenômenos como migração de metais ou até defeitos físicos. Os filamentos podem ser quebrados e revertidos aplicando diferentes tensões externas. É essa criação e destruição de filamentos em grandes quantidades que permite o armazenamento de dados digitais. Os materiais que possuem características de memresistor incluem óxidos de titânio e níquel, alguns eletrólitos, materiais semicondutores e até alguns compostos orgânicos foram testados para ter essas características.
A principal vantagem do RRAM sobre outras tecnologias não voláteis é a alta velocidade de comutação. Devido à magreza dos memresistores, ele possui um grande potencial para alta densidade de armazenamento, maiores velocidades de leitura e gravação, menor uso de energia e custo mais barato que a memória flash. A memória flash não pode continuar em escala devido aos limites dos materiais; portanto, a RRAM substituirá a memória flash em breve.
