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- Definição - O que significa Memória de acesso aleatório de saída estendida de dados (RAM EDO)?
- Techopedia explica Memória de acesso aleatório de saída estendida de dados (RAM EDO)
Definição - O que significa Memória de acesso aleatório de saída estendida de dados (RAM EDO)?
A memória de acesso aleatório de saída estendida de dados (EDO RAM / DRAM) é um tipo antigo de chip de memória de acesso aleatório dinâmico (DRAM), que foi projetado para melhorar o desempenho da DRAM no modo de página rápida (FPM DRAM) usada na década de 1990. Sua principal característica era a eliminação dos tempos de espera, permitindo que um novo ciclo iniciasse, mantendo o buffer de saída de dados do ciclo anterior ativo, o que permite um grau de canalização (sobreposição na operação) que melhorava o desempenho.
Techopedia explica Memória de acesso aleatório de saída estendida de dados (RAM EDO)
A memória de acesso aleatório dinâmico de saída estendida de dados foi introduzida em 1994 e começou a substituir a DRAM no modo de página rápida em 1995, quando a Intel lançou pela primeira vez o chipset 430FX que suporta a DRO EDO. Antes disso, o EDO DRAM poderia substituir o FPM DRAM, mas se o controlador de memória não foi projetado especificamente para o EDO, o desempenho permaneceu o mesmo que o FPM.
A EDO DRAM de ciclo único é capaz de realizar uma transação de memória inteira em um único ciclo de clock, caso contrário, ela pode ser executada em dois ciclos em vez de três, após a seleção da página. A capacidade do EDO permitiu substituir o cache L2 lento dos PCs naquele momento e reduziu a enorme perda de desempenho associada ao cache L2, além de tornar os PCs mais baratos para a construção geral. Portanto, um sistema que usa EDO com cache L2 foi muito mais rápido em comparação com a combinação de cache FPM e L2, além de ser mais barato de construir.
O EDO foi classificado para taxa de clock máxima de 40 MHz, 64 bits de largura de banda de barramento, pico de largura de banda de 320 MBps e foi executado a 5 volts. Era tangivelmente mais rápido que a DRAM de FPM mais antiga, que possuía apenas taxa de clock máxima de 25 MHz e largura de banda máxima de 200 MBps. No entanto, foi substituído pelo SDRAM mais rápido, iniciado em 1996, após apenas dois anos de uso importante.
